碳化硅技术龙头企业

  碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，根据Yole多个方面数据显示，Cree、约占据了90％的SiC市场占有率，Cree是SiC衬底主要供应商，罗姆、

  衬底方面，国际主流产品从4英寸向6英寸过渡，Cree已经开发出8英寸衬底。国内衬底主要供应商有天科合达、山东天岳、同光晶体等能够供应3 英寸-6 英寸的单晶衬底。国内SiC衬底以4英寸为主，6英寸衬底还有待突破。

  2019年8月，华为通过旗下的哈勃科技投资有限公司投资了山东天岳公司，占股10%，显示华为正在布局新一代半导体材料技术。

  外延片方面，国内厦门瀚天天成、东莞天域、世纪金光已能提供4英寸/6英寸SiC外延片。目前，6英寸碳化硅外延片能轻松实现本土供应。

  SiC器件方面，国际上600~1700V SiC SBD、MOSFET已经实现产业化，主流产品耐压水平在1200V 以下，封装形式以TO 封装为主。价格这一块，国际上的SiC 产品价格是对应Si 产品的5~6 倍，正以每年10%的速度下降。据预测，随着上游材料器件纷纷扩产上线年后市场供应加大，价格将进一步下降，预计价格达到对应Si 产品2~3 倍时，由系统成本减少和性能提升带来的优势将推动SiC 逐步占领Si 器件的市场空间。

  国内碳化硅器件供应商主要有中车时代电气、中电55所、中电13所、基本半导体、泰科天润、瑞能半导体等，以及国内功率IDM龙头华润微电子也进入到这一领域。

  2020年实现营业收入84.54亿元，同比增长13.32%;归属于上市公司股东的净利润10.16亿元，同比增长-21.73%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2.93亿元，同比增长-57.49%。

  3月30日盘后一手消息，三安光电7日内股价下跌3.03%，截至15点收盘，该股涨2.18%报24.41元 。

  2020年实现营业收入229.74亿元，同比增长34.76%;归属于上市公司股东的净利润2.74亿元，同比增长-40.51%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2.26亿元，同比增长-24.16%。

  2020年9月5日互动平台回复公司子公司顶立科技在碳化硅单晶方面主要是做SiC单晶中的高纯C粉的研制，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上的技术，研制开发的高纯碳粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨制品性能指标达国际领先水平，目前公司生产的高纯碳粉已实现小批量生产。

  3月30日消息，楚江新材3日内股价上涨0.95%，最新报9.5元，涨1.39%，成交额5925.48万元。

  2020年实现营业收入28.48亿元，同比增长16.16%;归属于上市公司股东的净利润1.3亿元，同比增长258.85%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2748.19万元，同比增长117.13%。

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  是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，其能使系统效率更加高，质量更轻，结构更紧凑。如今，

  都是半导体器件，它们之间的区别大多数表现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘

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  功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，

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  MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中MOSFET表示金属氧化物半导体场效应晶体管，

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  到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，

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  MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个

  材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，以此来降低电机的成本。

  Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase

  的原理是，将碳原子和硅原子结合在一起，形成一种新的复合材料，拥有非常良好的机械性能和耐热性。

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  两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm。

  器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。

  材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游

  基础原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《

  6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章

  基础原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.1基础原理∈《

  6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.7迁移率限制因素∈《

  6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.6不同晶面上的氧

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.5界面的不稳定性∈《

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.7电导法∈《

  5.3.2.1寿命控制5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.3.2载流子寿命“杀手

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.3p型区的离子注入∈《

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.2.2高温气体刻蚀∈《

  基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《

  MOSFET等器件，为业界熟知，并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中

  器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。

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  两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。 人类1905年 第一次在陨