特斯拉的碳化硅计划

  性能，有可能实现更高效、更紧凑的电子设备。随着SiC技术的不断成熟和成本下降，预计这项技术将更普遍地在多个领域中得到普遍应用——从电动汽车到航空航天技术等。

  本文将收集SiC行业的最新新闻，以了解该技术的主要参与者、制造发展和新的模拟软件，其中模拟软件能加速基于SiC设备的开发。

  尽管SiC在电动汽车动力系统中具有性能优势，但特斯拉还是做出了这一决定，主要考虑因素是供应链。与许多行业一样，SiC制造业在过去几年受到供应链波动的严重影响。由于SiC是一种相对较新的半导体材料，缺乏硅的高效大规模制造规模，供应链波动对这类半导体的影响要显著得多。

  因此，特斯拉决定在未来的动力系统中减少75%的SiC，一种原因是基于经济上的考虑，另一方面是要保持汽车的产能。

  三菱最近宣布建造一个新的SiC晶圆厂。该工厂将需要约1000亿日元的投资，专门用来制造8英寸SiC晶圆，并增强相关的生产设施。新工厂还将包括一个洁净室，具有先进的能源效率和高水平的自动化生产效率。

  继三菱之后，Wolfspeed最近也宣布计划在德国建造全球最大的SiC制造厂。该工厂占地35英亩，原是萨尔州的一家燃煤电厂，全面运营后将雇佣600多人。该公司计划在这里建立一个先进的200毫米晶圆制造工厂，这也是Wolfspeed在欧洲的第一个工厂。

  另外，Microchip最近也有消息透露其计划在Colorado州投资8.8亿美元用于未来的碳化硅和硅产能。通过这笔投资，Microchip计划升级其50英亩，58万平方英尺的Colorado Springs园区，以增加其用于汽车/电动交通、电网基础设施、绿色能源、航空航天和国防应用的SiC制造。Microchip制造的是8英寸晶圆。

  其中一个新工具来自Microchip，该公司最近发布了MPLABSiC功率模拟器。新的功率模拟器使用基于PLECS的软件环境，允许客户在硬件设计之前评估Microchip的SiC功率器件和模块。Microchip相信，有了这个工具，设计人能更好地评估产品和设计，从而缩短SiC设计的上市时间。

  Onsemi也发布了一款新的SiC仿真工具，发布了在线Elite Power模拟器和PLECS模型生成器。这两种工具都旨在让工程师在产品生命周期的早期阶段洞察复杂的电力电子应用。通过对onsemi的EliteSiC产品进行系统级模拟，该公司希望新工具能节约工程师的时间和设计成本。

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  半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍

  （SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状

  功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作时候的温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点，因此在新能源

  都是半导体器件，它们之间的区别大多数表现在以下几个方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘

  具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。

  功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，

  ，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个

  是一种非金属陶瓷材料，具有高温、耐腐蚀、抗氧化、耐热性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成，

  MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中MOSFET表示金属氧化物半导体场效应晶体管，

  到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，

  物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于

  晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。

  MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个

  MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个

  SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。 在众多半导体器件中，

  材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，以此来降低电机的成本。

  材料制成的电子元件基板，它拥有非常良好的耐热性、耐高温性、抵抗腐蚀能力和耐电强度等特点。铝

  基板能够适用于电子设备的热管理，可以轻松又有效地降低电子设备的温度，来提升其可靠性和使用寿命。

  是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，

  MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色

  的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。

  技术可以帮助电动汽车实现快充，增加续航；这个特性使得众多的车企把目光投注过来。 我们

  （SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用来制造芯片，这是半导体行业的基石。

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  已经有差不多5、6 年的历史，最早是在车载的OBC上用，后面是在车载弹簧、车载电控上面用，目前国内在

  技术基础原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.1氧化速率∈《

  MOSFET等器件，为业界熟知，并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中

  （SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实

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  （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状