科普月好礼来袭！带你一图看懂碳化硅

  ，其资料本征特性与硅资料比较具有许多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型

  分立器材（Hybrid SiC Discrete Devices）将新式场截止IGBT技能和

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器材功率更加高，作业速度更快

  3 漏极电流校准前后波形由上述波形可知，柔性电流探头测验的电流波形ID有必要进行13.8ns

  危险，装备适宜的短路维护电路，能够有实际效果的削减开关器材在运用的过程中因短路而形成的损坏。与硅IGBT比较，

  MOSFET短路耐受时刻更短。1）硅IGBT：硅IGBT的接受退保和短路的时刻

  器材安稳作业，陶瓷基板和金属底板也需求具有杰出的高温可靠性。表 2、3分别给出了现在常用

  MOSFET产业链介绍 /

  在功率模块中的功能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器材（如 TO-247）是将

  （SiC）又名金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等质料经过电阻炉高温锻炼而成，其实

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（出产绿色

  ，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（出产绿色

  【youyeetoo X1 windows 开发板体会】支撑语音操控的AIoT智能终端规划

  嵌入式学习-ElfBoard ELF 1板卡- Uboot目录结构介绍