onsemi在韩碳化硅工厂已竣工

  安森美（onsemi）宣告，其坐落韩国富川的先进碳化硅（SiC）超大型制作工厂扩建项目已完结。该晶圆厂每年将能出产超越一百万片。而为了支撑SiC产能提高，安森美方案未来三年内招聘多达1,000名当地职工，以添补大部分高技术职位。相较于现在约有2,300名职工的规划，这将添加40%以上的人数。

  碳化硅元件是电动汽车、动力根底设施和大功率电动汽车充电桩中重要的功率转化部件。商场对这一些产品的需求迅速增长，推动了碳化硅晶片的需求量大幅添加。

  富川晶圆厂的扩建满意了商场对增产的急迫需求，让安森美能够继续向客户供给供给保证，并加强其在才智电源办理范畴的领头羊。富川SiC晶圆厂在全面整合的SiC供给链中起到了至关重要的效果，而且完成了继续的成功。这使得安森美得认为全球电气化的加快开展供给支援。

  和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原资料制作成各种几许尺度的压敏电阻，然后

  特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他规范

  （SiC）是一种宽禁带半导体资料，具有高热导率、高击穿场强、高饱满电子漂移速率和高键合能等长处。因为这些优异的功能，

  特征工艺模块简介 /

  （SiC）是一种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特色，因此在高温、高频、大功率应用范畴具有十分显着优势。

  的5大优势 /

  ，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您能够将SiC与氮或磷掺杂以构成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以构成p型半导体。尽管

  器材介绍与仿真 /

  ，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体根底资料。您能够将SiC与氮或磷掺杂以构成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以构成p型半导体。尽管

  MOSFET是一种新式的功率半导体器材，其间MOSFET表明金属氧化物半导体场效应晶体管，

  MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底能够从外部购买得到，高质量的外延片也能够从外部购买到，但是这仅仅具有了取得一个

  芯片的规划和制作 /

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