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据电子时报6月5日报导,富士康旗下的子公司成功制作出我国台湾地区首片8英寸SiC(碳化硅)晶圆。因为SiC资料晶体生长难度大、原料硬导致切开困难,因而此前该公司仅有才能制作最大6英寸的SiC晶圆。
依据电子时报报导,富士康旗下的Taisic Materials(盛新资料科技)担任晶体生长和衬底出产,Gigastorage担任SiC晶圆切开、研磨和抛光。盛新资料CEO表明,该公司的碳化硅晶体生长技能仅比世界头部公司Wolfspeed落后一年,后者是现在全球仅有可以量产8英寸SiC晶圆和衬底的制作商。
盛新资料CEO称,该企业建立只要不到3年时刻,但从建立不久后就成功生长出了直径4英寸SiC晶体。但客户更有意向运用6英寸SiC,因而公司快速进行6英寸产品的开发,其间导电N型SiC晶圆和6英寸衬底正按方案逐步扩大出产。
因为半导体芯片的形状为矩形,而晶圆为圆形,因而晶圆的面积越大,利用率越高,就能切开出更多的芯片。因而,不论是单晶硅仍是碳化硅,运用大尺度晶圆/衬造芯片,有助于芯片厂商降低成本。
该公司还表明,现在全球碳化硅产品比较紧缺,新能源电动汽车逐步从IGBT转向更高端的SiC MOSFET,增大了碳化硅芯片的需求。该范畴很多公司,都在活跃寻求安稳的SiC衬底供给来历。2023年,盛新资料方案将碳化硅生长炉的数量添加至65台,其间5台来自美国,10台来自日本,其他的来自我国台湾的Kenmec公司。
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