公司此前泄漏,其供给的导电型衬底根本都是满意MOSFET参数规范的,MOSFET器材在工业范畴和新能源轿车范畴都有十分遍及的运用场景。
《科创板日报》7月22日讯(修改 宋子乔)国产碳化硅(SiC)衬底有了新打破。
天岳先进昨夜公告,近来与某客户签订了一份长时间协议,约好2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方出售6英寸导电型碳化硅衬底产品,估计含税出售三年算计金额为人民币13.93亿元。
这一金额是该公司上一年总营收的2.8倍,2021年天岳先进营收为4.94亿元。
从细分产品来看,天岳先进是全球半绝缘型碳化硅衬底龙头(2020年半绝缘型碳化硅衬底全球市占率30%),其产品首要为4英寸半绝缘型碳化硅衬底,首要运用在于5G通讯、国防等范畴。
比较半绝缘型衬底,导电型碳化硅衬底在新能源轿车、光伏等范畴未来需求空间更大,国产化率也更低,因而公司IPO募资20亿元建造6英寸导电型碳化硅衬底项目,发力导电型碳化硅衬底。该项目将于2022年试生产,估计2026年完成全面达产。
6月份,天岳先进共获67家组织查询与研讨,该公司泄漏,其供给的导电型衬底根本都是满意MOSFET参数规范的。MOSFET器材在工业范畴和新能源轿车范畴都有十分遍及的运用场景,公司现在现已取得IATF16949车规系统认证,下流客户的送样反应成果也十分活跃。
放眼碳化硅衬底的全球竞赛格式,现在海外厂商把握话语权,国内企业商场占有率较小。半绝缘商场中,贰陆公司(II-IV)、科锐(Wolfspeed)以及天岳先进三家占有首要比例;导电型商场中,科锐为肯定龙头。
跟着碳化硅需求趋势清晰,国内产业链正加快布局,天岳先进是该趋势的缩影。浙商证券此前表明,可观测到,国内外距离正在缩小、且全体距离小于传统硅基半导体。国内外距离已从曩昔的10-15年(4英寸)、缩小至5-10年以内(6英寸)。估计未来向8英寸进军过程中,距离有望进一步缩小。
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