英飞凌与中国碳化硅供应商天科合达签订晶圆和晶锭供应协议

  英飞凌与中国碳化硅供应商天科合达签订晶圆和晶锭供应协议，逐步推动其碳化硅供应商体系多元化

  【2023 年 5 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司正推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，并与中国碳化硅供应商北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）签订了一份长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科合达将为英飞凌供应用来制造碳化硅半导体产品的高质量并且存在竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

  英飞凌和天科合达所签订的协议将有利于保证整个供应链的稳定，同时满足中国市场在汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品一直增长的需求，并将推动新兴半导体材料的快速发展。根据该协议，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料的供应，但天科合达也将提供200毫米直径碳化硅材料，助力英飞凌向200毫米直径晶圆的过渡。

  英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg女士表示：“为满足一直增长的碳化硅需求，英飞凌正在大幅度提高其马来西亚和奥地利生产基地的产能。同时，为了向我们的客户提供综合全面的产品，英飞凌目前正加倍投资碳化硅技术和产品组合，并落实一项多供应商与多国采购战略以增强自身的供应链弹性，让我们广大的客户群体从中受益。天科合达的材料性能很出色，我们十分高兴能够与他们签订一份存在竞争力的协议。”天科合达总经理杨建表示：“我们很高兴全球功率半导体市场的领导者—英飞凌成为了我们的客户，期待与英飞凌的携手合作。天科合达将一直在改进碳化硅材料并开发新一代8英寸晶圆技术，英飞凌是我们在该领域的优秀客户。”

  英飞凌正着力提升碳化硅产能，以实现在2030年之前占据全球30%市场占有率的目标。预计到2027年，英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。英飞凌位于马来西亚居林的新工厂计划于2024年投产，届时将补充奥地利菲拉赫工厂的产能。迄今为止，英飞凌已向全球3,600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。

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  三星首款基于MOSFET冰箱变频器设计采用英飞凌600 V CoolMOS™ PFD7 近日，英飞凌科技股份有限公司 向三星电子股份有限公司 供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率器件已经整合在三星最新款的单门式 (RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX) 与对开式 (RF18A5101SR) 变频冰箱中。变频是当代变频器设计中，采用直流转交流的新兴转换趋势。与传统的开/关控制相比，变频能让产品应用更安静平稳地运转，同时也能减少平均耗电量。 为满足三星对提高效率、降低系统成本和降低噪音量的要求，Digi Touch Cool™、Curd Maestro™采用了英飞凌多款电源解决方案：EiceDRIV

  英飞凌推出超可靠的压接式IGBT ，进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容 【2022年5月30日，德国慕尼黑讯】 Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT（PPI）， 进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计，是大电流模块化多电平转换器（MMC）、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。 Prime Switch Press Pack IGBT Prime Switch IGBT 的阻断电压为4.5 kV，不带有FWD的型号

  推出超可靠的压接式IGBT /

  功能简介 本次设计基于RT-Thread和infineon PSoC™ 62 with CAPSENSE™ evaluation kit开发板，实现了一个简易的智能家居系统。通过SHT31温湿度传感器和VEML7700光照传感器来采集室内的温湿度和光照强度，并通过esp8266联网和MQTT协议上传到onenet云平台，并且通过onenet可视化平台能轻松实现远程查看温湿度和光照数据，还能够通过开发板上自带的按键，实现是否开灯自动调节室内亮度。 VEML7700 VEML7700是一款高精度环境光数字16位分辨率传感器，通过I2C进行传输，用典型的I2C时序即可进行读写。 SHT31 SHT31是一款高精度温湿度传感器，在正常

  开发板的智能家居系统？ /

  2011年 6月27日，北京讯—碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列新产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。 科锐创始人之一兼功率和无线射频(RF)产品研制部门首席技术官 John Palmour 指出：“为了开发新一代功率电子科技类产品，设计工程师正在发掘碳化硅肖特基二极管特有的性能优势，包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关损耗以及能在更高频率下工作等，都能支持更低的电磁干扰(EMI

  近日，据外国媒体报道，一大批采用SiC（碳化硅）芯片的新型汽车正在路上，作为全球首批采用SiC芯片的汽车， 特斯拉Model3 ( 参数 询价 ) 拥有更长的续航时间，更加优秀的持续高性能表现，而这些提升正是它引领了市场开始变化的重要原因之一。 在过去的数十年里，半导体市场对硅坚持不懈的研究已经到了技术上的天花板，而SiC（碳化硅）的出现打破了现有的瓶颈期。与传统的硅晶片相比，它拥有更好的稳定性，能让芯片制造商将能量损失减少一半以上，以便更好地发挥性能。 作为第三代半导体的代表，SiC（碳化硅）是一种无机物，它在所有的领域的使用相当广泛，如我们熟知的铁路运输、电力运输，还有正当风口的混合动力汽车和纯电动汽车。SiC相比起

  芯片汽车诞生 /

  英飞凌科技股份有限公司（FSE/NYSE: IFX）宣布，公司已与摩托罗拉签署协议，将为摩托罗拉开发基于英飞凌SMARTi UE芯片的全新多模3G射频（RF）收发器单芯片。 这种射频收发器是手机或其它移动无线设备的核心组件，基本功能是发送和接收数字数据。随着用户想要移动终端具备更强的多媒体功能，该射频器件将在实现支持移动内容和业务所需的数据传输速率和信令方面，发挥至关重要的作用。 英飞凌为摩托罗拉开发的这种全新射频芯片，将具备最出色的HSDPA和HSUPA性能、更低的功耗和紧凑的设计，可满足当今市场对3G业务一直增长的需求。 英飞凌副总裁兼射频引擎事业部总经理Stefan Wolff表示：“我们很高兴与摩托罗拉建立战略合作

  环球晶在今日的股东会上透露，碳化硅（SiC）需求较预期强劲，基板已小量出货，同时该公司正持续加快扩产和送样进度。 据钜亨网报道，环球晶董事长徐秀兰表示，该公司生产的碳化硅磊晶明年上半年将送样给客户验证。由此一来，环球晶在碳化硅领域的布局将由基板进一步延伸至磊晶。 据其称，加上三年的长期供应合同在内，环球晶在手订单金额预计超过1000亿元新台币。尽管目前碳化硅营收占比不到 1%，但该公司看好未来成长动能强劲。 对于产能供不应求的问题，徐秀兰也表示，该公司预计将投入8亿美元扩产进行扩产，新增产能预计2022年陆续产出，大部分产能将于2023年中以后产出。

  大陆强力提升芯片自制率政策，吸引全球半导体 大厂纷齐聚大陆盖12吋厂，三星电子(Samsung Electronics)西安3D NAND厂在2016年产值已超越大陆本土的中芯国际，首次登上大陆半导体 制造一哥，2016年大陆整体半导体 产值达人民币4,335.5亿元(约新台币1.95兆元)，相较于台湾产值新台币2.43兆元已是一步之遥，面对大陆猛烈追赶态势，业界忧心台湾在全球仅次美国的半导体二哥地位，恐将被大陆一举超越。下面就随半导体设计制造小编共同来了解一下相关联的内容吧。 大陆这一波半导体产业崛起，从产业政策、中央和地方资金、半导体人才等全数到位，全球半导体大厂纷到大陆设厂，2016年大陆前十大半导体制造 晶圆 厂

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  直播回放：Littelfuse 碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用

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