化学气相堆积（CVD）技能！-《飓风资讯

  是半导体工业中使用最为广泛的用来堆积多种资料的技能，包含大规模的在答应电压下不导电的资料，大多数金属资料和金属合金资料。

  从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原资料导入到一个反响室内，然后他们相互之间产生化学反响，构成一种新的资料，堆积到晶片外表上。淀积氮化硅膜(Si3N4)便是一个很好的比如，它是由硅烷和氮反响构成的。

  化学气相堆积法是传统的制备薄膜的技能，其原理是使用气态的前驱反响物，经过原子、分子间化学反响，使得气态前驱体中的某些成分分化，而在基体上构成薄膜。化学气相堆积包含常压化学气相堆积、等离子体辅佐化学堆积、激光辅佐化学堆积、金属有机物堆积等。不过随技能的开展，CVD技能也不断移风易俗，呈现了许多针对某几种用处的专门技能，在此特为我们介绍两种CVD技能。

  等离子体增强化学气相堆积（PECVD）是在化学气相堆积中，激起气体，使其产生低温等离子体，增强反响物质的化学活性，然后进行外延的一种办法。该办法可在较低温度下构成固体膜。例如在一个反响室内将基体资料置于阴极上，通入反响气体至较低气压(1～600Pa)，基体坚持必定温度，以某种办法产生辉光放电，基体外表邻近气体电离，反响气体得到活化，一起基体外表产生阴极溅射，来提升了外表活性。在外表上不只存在着一般的热化学反响，还存在着杂乱的等离子体化学反响。堆积膜便是在这两种化学反响的一起效果下构成的。激起辉光放电的办法首要有：射频激起，直流高压激起，脉冲激起和微波激起。

  等离子体增强化学气相堆积的首要长处是堆积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜安排细密、针孔少；膜层的附着力强；使用场景规模广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。

  热丝CVD选用高温下的低压气相堆积，碳氢化合物在高温下产生化学反响，生成膜前驱物，当样品温度合当令，这些膜前驱物在样品外表堆积构成金刚砂膜。低压化学气相堆积构成的膜层厚度及成分较为均匀，膜层细密。

  热丝CVD的根本化学反响为加热分化化合物（化学键开裂），及光分化（使用辐射能使化合物化学键开裂）。灯丝（钨丝或钽丝）通电后加热到2000摄氏度，气体（氢气，甲烷）传输至灯丝处，分化构成碳氢活性集团，黏附分散至样片邻近，当样品温度在600-1000摄氏度时，碳氢活性集团产生反响构成晶核，晶核构成岛状物，岛状物构成接连膜层，反响副产物脱离样片外表，流出成长室。

  鹏城半导体研制规划制作了热丝CVD金刚石设备（热丝法化学气相堆积CVD），分为试验型设备和出产型设备两类。

  设备大多数都用在微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研制和出产。可用于力学等级、热学等级、光学等级、声学等级的金刚石产品的研产出产。

  能够制作大尺度金刚石多晶晶圆片，用于大功率器材、高频器材及大功率激光器的散热热沉。

  可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具外表或其它不规则外表的金刚石硬质涂层制备。

  矩形作业尺度的宽度1000mm/长度可根据镀膜室的长度确认（如：工件长度1500mm）。